中芯國際從2019年四季度開始量產(chǎn)14nm，正處于產(chǎn)能爬坡期；在更先進制程的規(guī)劃上，N+1研發(fā)進程穩(wěn)定，已進入客戶導(dǎo)入及產(chǎn)品認(rèn)證階段，中芯的N+1工藝相比較臺積電的7nm性能稍弱；N+2工藝能接近主流的7nm水平，中芯計劃于今年第四季度進行FinFET 7nm的初始生產(chǎn)，但量產(chǎn)計劃還未公布。
梁孟松表示，“7nm作為其14nm工藝的繼任者，其性能提高了20％，功耗降低了57％。它將邏輯面積減少63％，SoC面積減少55％，密度是14nm的兩倍以上?！彪m然中芯國際的14nm工藝相比臺積電、格羅方德、聯(lián)華電子等主要競爭對手晚了2-4年，但是在7nm工藝的進度較快，正在實現(xiàn)追趕。
與此同時，聯(lián)華電子、格羅方德宣布相繼退出12nm以下先進工藝市場，據(jù)業(yè)內(nèi)分析，接下來中芯國際對這兩家的超越是完全可以實現(xiàn)的，如果不把三星看做專門的代工廠，那么未來在7nm以下先進工藝市場的角逐上，只剩下臺積電和中芯國際兩家。
相比身處美國、臺灣地區(qū)的競爭對手，中芯國際正在把這場危機化為機遇。
首先，中國是芯片市場需求大國，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)經(jīng)過多年發(fā)展逐步完善，也不乏優(yōu)秀的IC設(shè)計公司。隨著中美貿(mào)易摩擦的加劇，越來越多的代工訂單轉(zhuǎn)到了中國大陸，這其中華為也更加傾向于選擇并扶植大陸的合作伙伴。

根據(jù)《電子時報》1月份的報道，中芯國際擊敗臺積電，奪得華為海思半導(dǎo)體的14納米FinFET工藝芯片制造訂單。

榮耀Play4T中芯國際20周年定制版
今年5月，中芯國際定制版榮耀Play4T在媒體曝光，其特別之處在于背面的logo——SMIC 20，以及一行文字標(biāo)注：Powered by SMIC FinFET，顯示著這款手機的海思麒麟710A處理器，采用的正是中芯國際（SMIC）14nm制程代工。
其中，12英寸芯片SN1項目，正是用于滿足建設(shè)1條月產(chǎn)能3.5萬片的12英寸生產(chǎn)線項目的部分資金需求，將生產(chǎn)技術(shù)水平提升至14nm及以下，來進一步滿足客戶的需求。
對于7nm或更先進的工藝，梁孟松曾表示，“中芯國際無需EUV就能達成7nm，當(dāng)然后續(xù)的5nm、3nm是必須要有EUV的。”雖然無法引進更為先進的EUV光刻機，但這也為中芯國際在短時間內(nèi)，利用現(xiàn)有設(shè)備實現(xiàn)從14nm推進到7nm工藝制程并逐步實現(xiàn)量產(chǎn)，贏得了一個難得的喘息和發(fā)展的時間差。
在技術(shù)層面上，依然存在不確定性，一旦臺積電遇到工藝制程陷阱或者技術(shù)分水嶺，中芯國際作為跟隨者，市場格局很有可能發(fā)生變化。
2014年，臺積電制程工藝升級至20nm，并為高通代工驍龍810解決方案。不過該方案內(nèi)核架構(gòu)過分關(guān)注提升性能，導(dǎo)致整機嚴(yán)重發(fā)熱，深陷工藝制程陷阱，最終造就了高通“火龍?zhí)幚砥鳌钡暮跉v史。臺積電被迫加快工藝升級進度，經(jīng)過2015與2016年兩次技術(shù)迭代才擺脫陰影。
目前，很難預(yù)判哪個工藝節(jié)點將成為新的陷阱。因此，對臺積電而言，犯錯比減速更加不可接受，這也為中芯國際的追趕爭取更多時間。
路漫漫其修遠兮，吾將上下而求索?！奥浜缶鸵ご颉钡牡览?，從古至今從來不會改變。中國的芯片之路仍需不懈努力，還有很長的路要走。